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中硅高科兩項半導體材料科技成果獲評國際領先
作者: 發(fā)布時間:2026年05月21日 瀏覽次數:
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  近日,中硅高科牽頭完成的兩項半導體材料技術通過院士專家組評審,整體達到國際領先水平。

  其中,“寬禁帶半導體用超高純碳化硅材料制備關鍵技術”首創(chuàng)氣相法工藝,建成國內首條年產300噸生產線,整體達到國際領先水平?!凹呻娐酚秒娮蛹壛纫夜柰橹苽潢P鍵技術”整體達到國際先進水平,顆粒度控制達到國際領先水平。這標志著我國第三代半導體及高純電子特氣領域國產化實現重大突破。

 

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